購入 IXFB210N20PとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4.5V @ 8mA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PLUS264™ |
シリーズ: | HiPerFET™, PolarP2™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 10.5 mOhm @ 105A, 10V |
電力消費(最大): | 1500W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-264-3, TO-264AA |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 4 Weeks |
製造元の部品番号: | IXFB210N20P |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 18600pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 255nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 200V 210A (Tc) 1500W (Tc) Through Hole PLUS264™ |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 200V |
説明: | MOSFET N-CH 200V 210A PLUS264 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 210A (Tc) |
Email: | [email protected] |