IXFH58N20
IXFH58N20
部品型番:
IXFH58N20
メーカー:
IXYS Corporation
説明:
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12365 Pieces
データシート:
IXFH58N20.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 4mA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-247AD (IXFH)
シリーズ:HiPerFET™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):40 mOhm @ 29A, 10V
電力消費(最大):300W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-247-3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
製造元の部品番号:IXFH58N20
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:4400pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:220nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 200V 58A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:200V
説明:MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):58A (Tc)
Email:[email protected]

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