IXFN150N10 - IXYS - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IXFN150N10 - BYCHIPS

IXFN150N10

部品型番:: IXFN150N10

メーカー:: IXYS Corporation

説明:: MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227

フリーステータス/ RoHS状態:: リード/ RoHS非対応

在庫数量:: 19571 Pieces

データシート:: IXFN150N10.pdf

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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 8mA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-227B
シリーズ:	HiPerFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	12 mOhm @ 75A, 10V
電力消費（最大）:	520W (Tc)
パッケージング:	Bulk
パッケージ/ケース:	SOT-227-4, miniBLOC
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Chassis Mount
製造元の部品番号:	IXFN150N10
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	9000pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	360nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 100V 150A 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	100V
説明:	MOSFET N-CH 100V 150A SOT-227
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	150A
Email:	[email protected]

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