IXFN32N100Q3 - IXYS - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IXFN32N100Q3

IXFN32N100Q3

簡潔な

BYCHIPSは、 IXFN32N100Q3、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください IXFN32N100Q3をメールでお送りします。

購入 IXFN32N100Q3とBYCHPS

保証付きで購入する

同上@ VGS（TH）（最大）:	6.5V @ 8mA
Vgs（最大）:	±30V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-227B
シリーズ:	HiPerFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	320 mOhm @ 16A, 10V
電力消費（最大）:	780W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	SOT-227-4, miniBLOC
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Chassis Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	8 Weeks
製造元の部品番号:	IXFN32N100Q3
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	9940pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	195nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 1000V (1kV) 28A 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	1000V (1kV)
説明:	MOSFET N-CH 1000V 28A SOT-227
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	28A
Email:	[email protected]