IXFN44N80Q3 - IXYS - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IXFN44N80Q3

IXFN44N80Q3

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同上@ VGS（TH）（最大）:	6.5V @ 8mA
Vgs（最大）:	±30V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-227B
シリーズ:	HiPerFET™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	190 mOhm @ 22A, 10V
電力消費（最大）:	780W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	SOT-227-4, miniBLOC
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Chassis Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	8 Weeks
製造元の部品番号:	IXFN44N80Q3
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	9840pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	185nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 800V 37A 780W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	800V
説明:	MOSFET N-CH 800V 37A SOT-227
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	37A
Email:	[email protected]