IXFT6N100F
IXFT6N100F
部品型番:
IXFT6N100F
メーカー:
IXYS Corporation
説明:
MOSFET N-CH 1KV 6A TO268
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18085 Pieces
データシート:
IXFT6N100F.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):5.5V @ 2.5mA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-268 (IXFT)
シリーズ:HiPerRF™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):1.9 Ohm @ 3A, 10V
電力消費(最大):180W (Tc)
パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:IXFT6N100F
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1770pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:54nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 1000V (1kV) 6A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:1000V (1kV)
説明:MOSFET N-CH 1KV 6A TO268
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):6A (Tc)
Email:[email protected]

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