IXFV18N90P - IXYS - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IXFV18N90P - BYCHIPS

IXFV18N90P

部品型番:: IXFV18N90P

メーカー:: IXYS Corporation

説明:: MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 17911 Pieces

データシート:: IXFV18N90P.pdf

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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:	6.5V @ 1mA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PLUS220
シリーズ:	HiPerFET™, PolarP2™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	600 mOhm @ 500mA, 10V
電力消費（最大）:	540W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-220-3, Short Tab
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IXFV18N90P
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	5230pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	97nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 900V 18A (Tc) 540W (Tc) Through Hole PLUS220
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	900V
説明:	MOSFET N-CH 900V 18A PLUS220
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	18A (Tc)
Email:	[email protected]

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