IXFX20N120P - IXYS - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IXFX20N120P - BYCHIPS

IXFX20N120P

部品型番:: IXFX20N120P

メーカー:: IXYS Corporation

説明:: MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 18386 Pieces

データシート:: IXFX20N120P.pdf

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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:	6.5V @ 1mA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PLUS247™-3
シリーズ:	HiPerFET™, PolarP2™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	570 mOhm @ 10A, 10V
電力消費（最大）:	780W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-247-3
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	8 Weeks
製造元の部品番号:	IXFX20N120P
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	11100pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	193nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 1200V (1.2kV) 20A (Tc) 780W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	1200V (1.2kV)
説明:	MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	20A (Tc)
Email:	[email protected]

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