購入 IXTN120P20TとBYCHPS
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IXTN120P20T
- 部品型番:
- IXTN120P20T
- メーカー:
- IXYS Corporation
- 説明:
- MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 14413 Pieces
- データシート:
- IXTN120P20T.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 IXTN120P20T、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください IXTN120P20Tをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | SOT-227B |
| シリーズ: | TrenchP™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 30 mOhm @ 60A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 830W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | SOT-227-4, miniBLOC |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Chassis Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | IXTN120P20T |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 73000pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 740nC @ 10V |
| FETタイプ: | P-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | P-Channel 200V 106A 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 200V |
| 説明: | MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 106A |
| Email: | [email protected] |
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