IXTN660N04T4
IXTN660N04T4
部品型番:
IXTN660N04T4
メーカー:
IXYS Corporation
説明:
40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18056 Pieces
データシート:
1.IXTN660N04T4.pdf2.IXTN660N04T4.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
Vgs(最大):±15V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:SOT-227B
シリーズ:TrenchT4™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):0.85 mOhm @ 100A, 10V
電力消費(最大):1040W (Tc)
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:SOT-227-4, miniBLOC
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
製造元の部品番号:IXTN660N04T4
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:44000pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:860nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:Current Sensing
拡張された説明:N-Channel 40V 660A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:40V
説明:40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):660A (Tc)
Email:[email protected]

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