購入 IXTN660N04T4とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±15V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | SOT-227B |
シリーズ: | TrenchT4™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 0.85 mOhm @ 100A, 10V |
電力消費(最大): | 1040W (Tc) |
パッケージング: | Bulk |
パッケージ/ケース: | SOT-227-4, miniBLOC |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Chassis Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 8 Weeks |
製造元の部品番号: | IXTN660N04T4 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 44000pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 860nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | Current Sensing |
拡張された説明: | N-Channel 40V 660A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 40V |
説明: | 40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 660A (Tc) |
Email: | [email protected] |