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IXTP1R4N120P
IXTP1R4N120P
部品型番:
IXTP1R4N120P
メーカー:
IXYS Corporation
説明:
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
13923 Pieces
データシート:
IXTP1R4N120P.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:4.5V @ 100µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220AB
シリーズ:Polar™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:13 Ohm @ 500mA, 10V
電力消費（最大）:86W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
製造元の部品番号:IXTP1R4N120P
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:666pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:24.8nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 1200V (1.2kV) 1.4A (Tc) 86W (Tc) Through Hole TO-220AB
ソース電圧（VDSS）にドレイン:1200V (1.2kV)
説明:MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:1.4A (Tc)
Email:[email protected]

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