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IXTT3N200P3HV
IXTT3N200P3HV
部品型番:
IXTT3N200P3HV
メーカー:
IXYS Corporation
説明:
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
フリーステータス/ RoHS状態:
免責による鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17890 Pieces
データシート:
IXTT3N200P3HV.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:5V @ 250µA
Vgs（最大）:±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-268
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:8 Ohm @ 1.5A, 10V
電力消費（最大）:520W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:14 Weeks
製造元の部品番号:IXTT3N200P3HV
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:1860pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:70nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 2000V (2kV) 3A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:2000V (2kV)
説明:2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:3A (Tc)
Email:[email protected]

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