IXYP20N65C3D1M - IXYS - トランジスタ-igbt-シングル IXYP20N65C3D1M - BYCHIPS

IXYP20N65C3D1M

部品型番:: IXYP20N65C3D1M

メーカー:: IXYS Corporation

説明:: IGBT 650V 18A 50W TO220

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 14221 Pieces

データシート:: IXYP20N65C3D1M.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	650V
VGE、Icを@ VCE（上）（最大）:	2.5V @ 15V, 20A
試験条件:	400V, 20A, 20 Ohm, 15V
Td（オン/オフ）@ 25℃:	19ns/80ns
エネルギーの切り替え:	430µJ (on), 350µJ (off)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-220AB
シリーズ:	GenX3™, XPT™
逆回復時間（trrの）:	30ns
電力 - 最大:	50W
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-220-3
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	10 Weeks
製造元の部品番号:	IXYP20N65C3D1M
入力タイプ:	Standard
IGBTタイプ:	PT
ゲートチャージ:	30nC
拡張された説明:	IGBT PT 650V 18A 50W Through Hole TO-220AB
説明:	IGBT 650V 18A 50W TO220
電流 - コレクタパルス（ICM）:	105A
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	18A
Email:	[email protected]

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