購入 JAN2N3019SとBYCHPS
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JAN2N3019S
- 部品型番:
- JAN2N3019S
- メーカー:
- Microsemi
- 説明:
- TRANS NPN 80V 1A
- フリーステータス/ RoHS状態:
- リード/ RoHS非対応
- 在庫数量:
- 13633 Pieces
- データシート:
- JAN2N3019S.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 JAN2N3019S、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください JAN2N3019Sをメールでお送りします。
規格
| 電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）: | 80V |
|---|---|
| IB、IC @ Vce飽和（最大）: | 500mV @ 50mA, 500mA |
| トランジスタ型式: | NPN |
| サプライヤデバイスパッケージ: | TO-39 |
| シリーズ: | Military, MIL-PRF-19500/391 |
| 電力 - 最大: | 800mW |
| パッケージング: | Bulk |
| パッケージ/ケース: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| 他の名前: | 1086-2341 1086-2341-MIL Q8035503 Q8545273 |
| 運転温度: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 23 Weeks |
| 製造元の部品番号: | JAN2N3019S |
| 周波数 - トランジション: | - |
| 拡張された説明: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 800mW Through Hole TO-39 |
| 説明: | TRANS NPN 80V 1A |
| Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）: | 50 @ 500mA, 10V |
| 電流 - コレクタ遮断（最大）: | 10nA |
| 電流 - コレクタ（Ic）（Max）: | 1A |
| Email: | [email protected] |
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