JAN2N5416UA - Microsemi Corporation - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル JAN2N5416UA - BYCHIPS

JAN2N5416UA

部品型番:: JAN2N5416UA

メーカー:: Microsemi

説明:: TRANS PNP 300V 1A

フリーステータス/ RoHS状態:: リード/ RoHS非対応

在庫数量:: 14834 Pieces

データシート:: JAN2N5416UA.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	300V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	2V @ 5mA, 50mA
トランジスタ型式:	PNP
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-5
シリーズ:	Military, MIL-PRF-19500/485
電力 - 最大:	750mW
パッケージング:	Bulk
パッケージ/ケース:	TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
他の名前:	1086-16151 1086-16151-MIL
運転温度:	-65°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	JAN2N5416UA
周波数 - トランジション:	-
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 1A 750mW Through Hole TO-5
説明:	TRANS PNP 300V 1A
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	30 @ 50mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	1mA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	1A
Email:	[email protected]

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