JANTXV2N3810U - Microsemi Corporation - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ JANTXV2N3810U

JANTXV2N3810U

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	60V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	250mV @ 100µA, 1mA
トランジスタ型式:	2 PNP (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-78-6
シリーズ:	Military, MIL-PRF-19500/336
電力 - 最大:	350mW
パッケージング:	Bulk
パッケージ/ケース:	TO-78-6 Metal Can
他の名前:	1086-3088 1086-3088-MIL
運転温度:	-65°C ~ 200°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	23 Weeks
製造元の部品番号:	JANTXV2N3810U
周波数 - トランジション:	-
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78-6
説明:	TRANS 2PNP 60V 0.05A
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	150 @ 1mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	10µA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	50mA
Email:	[email protected]