KSP10TA - Fairchild/ON Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-rf KSP10TA

KSP10TA

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	25V
トランジスタ型式:	NPN
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-92-3
シリーズ:	-
電力 - 最大:	350mW
パッケージング:	Tape & Box (TB)
パッケージ/ケース:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
他の名前:	KSP10TA-ND KSP10TATB
運転温度:	150°C (TJ)
ノイズ指数（F @デシベル標準）:	-
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	6 Weeks
製造元の部品番号:	KSP10TA
利得:	-
周波数 - トランジション:	650MHz
拡張された説明:	RF Transistor NPN 25V 650MHz 350mW Through Hole TO-92-3
説明:	TRANSISTOR RF NPN 25V TO-92
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	60 @ 4mA, 10V
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	-
Email:	[email protected]