MHT1008NT1 - NXP USA Inc. - トランジスタ-fet、mosfet-rf MHT1008NT1

MHT1008NT1

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電圧 - テスト:	-
電圧 - 定格:	28V
トランジスタ型式:	LDMOS
サプライヤデバイスパッケージ:	PLD-1.5W-2
シリーズ:	-
電力出力:	12.5W
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	PLD-1.5W-2
他の名前:	935320685515
雑音指数:	-
水分感受性レベル（MSL）:	3 (168 Hours)
メーカーの標準リードタイム:	10 Weeks
製造元の部品番号:	MHT1008NT1
利得:	18.6dB
周波数:	2.4GHz ~ 2.5GHz
拡張された説明:	RF Mosfet LDMOS 2.4GHz ~ 2.5GHz 18.6dB 12.5W PLD-1.5W-2
説明:	IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ
定格電流:	-
電流 - テスト:	-
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
MHT1001HR5	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ	オンラインお問い合わせ
MRF5S9150HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 68V 880MHZ NI-780S	オンラインお問い合わせ
PTFB090901FAV2R0XTMA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS H-37265-2	オンラインお問い合わせ
MHT1003NR3	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS 2450MHZ	オンラインお問い合わせ
PD85035STR1-E	STMicroelectronics	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF	オンラインお問い合わせ
PTFA091201EV4R0XTMA1	Infineon Technologies	RF MOSFET LDMOS 28V H-36248-2	オンラインお問い合わせ
2SK3075(TE12L,Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSF RF N CH 30V 5A PW-X	オンラインお問い合わせ
2SK4037(TE12L,Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH PW-X	オンラインお問い合わせ
MHT1006NT1	NXP USA Inc.	FET RF 65V 2.17GHZ PLD1.5W	オンラインお問い合わせ
ARF461CG	Microsemi Corporation	RF MOSFET N-CH 1000V TO247	オンラインお問い合わせ
MRF8P20165WHR3	NXP USA Inc.	FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4	オンラインお問い合わせ
PTFA142401ELV4XWSA1	Infineon Technologies	IC FET RF LDMOS 240W H-33288-2	オンラインお問い合わせ
NPT2019	M/A-Com Technology Solutions	FET RF 160V 6GHZ 14DFN	オンラインお問い合わせ