MJE5731G
MJE5731G
部品型番:
MJE5731G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS PNP 350V 1A TO-220AB
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16808 Pieces
データシート:
MJE5731G.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):350V
IB、IC @ Vce飽和(最大):1V @ 200mA, 1A
トランジスタ型式:PNP
サプライヤデバイスパッケージ:TO-220AB
シリーズ:-
電力 - 最大:40W
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-220-3
他の名前:MJE5731G-ND
MJE5731GOS
運転温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:10 Weeks
製造元の部品番号:MJE5731G
周波数 - トランジション:10MHz
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor PNP 350V 1A 10MHz 40W Through Hole TO-220AB
説明:TRANS PNP 350V 1A TO-220AB
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):30 @ 300mA, 10V
電流 - コレクタ遮断(最大):1mA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):1A
Email:[email protected]

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