MJE800G
MJE800G
部品型番:
MJE800G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19723 Pieces
データシート:
MJE800G.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):60V
IB、IC @ Vce飽和(最大):2.5V @ 30mA, 1.5A
トランジスタ型式:NPN - Darlington
サプライヤデバイスパッケージ:TO-225AA
シリーズ:-
電力 - 最大:40W
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:TO-225AA, TO-126-3
他の名前:MJE800GOS
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:2 Weeks
製造元の部品番号:MJE800G
周波数 - トランジション:-
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 4A 40W Through Hole TO-225AA
説明:TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):750 @ 1.5A, 3V
電流 - コレクタ遮断(最大):100µA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):4A
Email:[email protected]

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