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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ > MMDT5551-7-F
MMDT5551-7-F
MMDT5551-7-F
部品型番:
MMDT5551-7-F
メーカー:
Diodes Incorporated
説明:
TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15367 Pieces
データシート:
MMDT5551-7-F.pdf
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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:160V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:200mV @ 5mA, 50mA
トランジスタ型式:2 NPN (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:SOT-363
シリーズ:-
電力 - 最大:200mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
他の名前:MMDT5551-FDITR
MMDT55517F
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:8 Weeks
製造元の部品番号:MMDT5551-7-F
周波数 - トランジション:300MHz
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 160V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363
説明:TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:80 @ 10mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:50nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:200mA
Email:[email protected]

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