MMUN2133LT1G
MMUN2133LT1G
部品型番:
MMUN2133LT1G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14931 Pieces
データシート:
MMUN2133LT1G.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):50V
IB、IC @ Vce飽和(最大):250mV @ 300µA, 10mA
トランジスタ型式:PNP - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ:SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ:-
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム):47k
抵抗 - ベース(R1)(オーム):4.7k
電力 - 最大:246mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
他の名前:MMUN2133LT1G-ND
MMUN2133LT1GOSTR
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:9 Weeks
製造元の部品番号:MMUN2133LT1G
周波数 - トランジション:-
拡張された説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
説明:TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):80 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断(最大):500nA
電流 - コレクタ(Ic)(Max):100mA
Email:[email protected]

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