MTB50P03HDLT4G
MTB50P03HDLT4G
部品型番:
MTB50P03HDLT4G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16437 Pieces
データシート:
MTB50P03HDLT4G.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2V @ 250µA
Vgs(最大):±15V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:D2PAK
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):25 mOhm @ 25A, 5V
電力消費(最大):2.5W (Ta), 125W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:MTB50P03HDLT4GOS
MTB50P03HDLT4GOS-ND
MTB50P03HDLT4GOSTR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:MTB50P03HDLT4G
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:4900pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:100nC @ 5V
FETタイプ:P-Channel
FET特長:-
拡張された説明:P-Channel 30V 50A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D2PAK
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):50A (Tc)
Email:[email protected]

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