購入 MTD6N20ET4GとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | DPAK-3 |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 700 mOhm @ 3A, 10V |
電力消費(最大): | 1.75W (Ta), 50W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前: | MTD6N20ET4GOS MTD6N20ET4GOS-ND MTD6N20ET4GOSTR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | MTD6N20ET4G |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 480pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 21nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 200V 6A (Tc) 1.75W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount DPAK-3 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 200V |
説明: | MOSFET N-CH 200V 6A DPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 6A (Tc) |
Email: | [email protected] |