MURT20060
MURT20060
部品型番:
MURT20060
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
説明:
DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19309 Pieces
データシート:
1.MURT20060.pdf2.MURT20060.pdf

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規格

電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@:1.7V @ 100A
電圧 - 逆(VR)(最大):600V
サプライヤデバイスパッケージ:Three Tower
速度:Fast Recovery = 200mA (Io)
シリーズ:-
逆回復時間(trrの):160ns
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:Three Tower
他の名前:MURT20060GN
装着タイプ:Chassis Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:4 Weeks
製造元の部品番号:MURT20060
拡張された説明:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
ダイオードタイプ:Standard
ダイオード構成:1 Pair Common Cathode
説明:DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
電流 - 漏れ@ Vrとリバース:25µA @ 50V
電流 - 平均整流(イオ​​)(ダイオード当たり):200A (DC)
Email:[email protected]

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