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MURTA600120R
MURTA600120R
部品型番:
MURTA600120R
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
説明:
DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14382 Pieces
データシート:
MURTA600120R.pdf
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規格

電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@:2.6V @ 300A
電圧 - 逆（VR）（最大）:1200V (1.2kV)
サプライヤデバイスパッケージ:Three Tower
速度:Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
シリーズ:-
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:Three Tower
動作温度 - ジャンクション:-55°C ~ 150°C
装着タイプ:Chassis Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:4 Weeks
製造元の部品番号:MURTA600120R
拡張された説明:Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V (1.2kV) 300A Chassis Mount Three Tower
ダイオードタイプ:Standard
ダイオード構成:1 Pair Common Anode
説明:DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
電流 - 漏れ@ Vrとリバース:25µA @ 1200V
電流 - 平均整流（イオ​​）（ダイオード当たり）:300A
Email:[email protected]

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