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NDD60N550U1-35G
NDD60N550U1-35G
部品型番:
NDD60N550U1-35G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16329 Pieces
データシート:
NDD60N550U1-35G.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:4V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:IPAK (TO-251)
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:550 mOhm @ 4A, 10V
電力消費（最大）:94W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:3 (168 Hours)
メーカーの標準リードタイム:14 Weeks
製造元の部品番号:NDD60N550U1-35G
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:540pF @ 50V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:18nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 600V 8.2A (Tc) 94W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:600V
説明:MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK-3
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:8.2A (Tc)
Email:[email protected]

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