NE5550779A-T1-A - CEL - トランジスタ-fet、mosfet-rf NE5550779A-T1-A - BYCHIPS

NE5550779A-T1-A

NE5550779A-T1-A

部品型番:: NE5550779A-T1-A

メーカー:: CEL (California Eastern Laboratories)

説明:: FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 17305 Pieces

データシート:: NE5550779A-T1-A.pdf

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規格

電圧 - テスト:	7.5V
電圧 - 定格:	30V
トランジスタ型式:	LDMOS
サプライヤデバイスパッケージ:	79A
シリーズ:	-
電力出力:	38.5dBm
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	4-SMD, Flat Leads
雑音指数:	-
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	NE5550779A-T1-A
利得:	22dB
周波数:	900MHz
拡張された説明:	RF Mosfet LDMOS 7.5V 140mA 900MHz 22dB 38.5dBm 79A
説明:	FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG
定格電流:	2.1A
電流 - テスト:	140mA
Email:	[email protected]

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