NE651R479A-T1-A - CEL - トランジスタ-fet、mosfet-rf NE651R479A-T1-A - BYCHIPS

NE651R479A-T1-A

NE651R479A-T1-A

部品型番:: NE651R479A-T1-A

メーカー:: CEL (California Eastern Laboratories)

説明:: FET RF 8V 1.9GHZ 79A

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 16835 Pieces

データシート:: NE651R479A-T1-A.pdf

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規格

電圧 - テスト:	3.5V
電圧 - 定格:	8V
トランジスタ型式:	HFET
サプライヤデバイスパッケージ:	79A
シリーズ:	-
電力出力:	27dBm
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	4-SMD, Flat Leads
雑音指数:	-
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	NE651R479A-T1-A
利得:	12dB
周波数:	1.9GHz
拡張された説明:	RF Mosfet HFET 3.5V 50mA 1.9GHz 12dB 27dBm 79A
説明:	FET RF 8V 1.9GHZ 79A
定格電流:	1A
電流 - テスト:	50mA
Email:	[email protected]

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