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NJX1675PDR2G
部品型番:
NJX1675PDR2G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16615 Pieces
データシート:
NJX1675PDR2G.pdf
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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:30V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
トランジスタ型式:NPN, PNP
サプライヤデバイスパッケージ:8-SOIC
シリーズ:-
電力 - 最大:2W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:NJX1675PDR2G
周波数 - トランジション:100MHz, 120MHz
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 3A 100MHz, 120MHz 2W Surface Mount 8-SOIC
説明:TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:180 @ 1A, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大）:100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:3A
Email:[email protected]

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