NSS20201MR6T1G - ON Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル NSS20201MR6T1G

NSS20201MR6T1G

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	20V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	150mV @ 100mA, 1A
トランジスタ型式:	NPN
サプライヤデバイスパッケージ:	6-TSOP
シリーズ:	-
電力 - 最大:	460mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SOT-23-6
他の名前:	NSS20201MR6T1G-ND NSS20201MR6T1GOSTR
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	8 Weeks
製造元の部品番号:	NSS20201MR6T1G
周波数 - トランジション:	200MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 2A 200MHz 460mW Surface Mount 6-TSOP
説明:	TRANS NPN 20V 2A TSOP-6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	200 @ 1A, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	2A
Email:	[email protected]