NSTB1002DXV5T1 - ON Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ、プリバイアス NSTB1002DXV5T1

NSTB1002DXV5T1

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	50V, 40V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA
トランジスタ型式:	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-553
シリーズ:	-
抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）:	47k
抵抗 - ベース（R1）（オーム）:	47k
電力 - 最大:	500mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SOT-553
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	NSTB1002DXV5T1
周波数 - トランジション:	250MHz
拡張された説明:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 200mA 250MHz 500mW Surface Mount SOT-553
説明:	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	100mA, 200mA
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
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BCR119SE6433HTMA1	Infineon Technologies	TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363	オンラインお問い合わせ
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