NSV20101JT1G
NSV20101JT1G
部品型番:
NSV20101JT1G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS NPN 20V 1A 89SC3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12831 Pieces
データシート:
NSV20101JT1G.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):20V
IB、IC @ Vce飽和(最大):220mV @ 100mA, 1A
トランジスタ型式:NPN
サプライヤデバイスパッケージ:SC-89-3
シリーズ:-
電力 - 最大:255mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SC-89, SOT-490
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:4 Weeks
製造元の部品番号:NSV20101JT1G
周波数 - トランジション:350MHz
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 1A 350MHz 255mW Surface Mount SC-89-3
説明:TRANS NPN 20V 1A 89SC3
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):200 @ 100mA, 2V
電流 - コレクタ遮断(最大):100nA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max):1A
Email:[email protected]

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