NSVBSP19AT1G
NSVBSP19AT1G
部品型番:
NSVBSP19AT1G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19769 Pieces
データシート:
NSVBSP19AT1G.pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大):350V
IB、IC @ Vce飽和(最大):500mV @ 4mA, 50mA
トランジスタ型式:NPN
サプライヤデバイスパッケージ:SOT-223 (TO-261)
シリーズ:-
電力 - 最大:800mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-261-4, TO-261AA
運転温度:-65°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:NSVBSP19AT1G
周波数 - トランジション:70MHz
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 70MHz 800mW Surface Mount SOT-223 (TO-261)
説明:TRANS NPN 350V 0.1A SOT223
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小):40 @ 20mA, 10V
電流 - コレクタ遮断(最大):20nA (ICBO)
電流 - コレクタ(Ic)(Max):100mA
Email:[email protected]

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