NSVMMUN2233LT3G - ON Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル、プリバイアス NSVMMUN2233LT3G

NSVMMUN2233LT3G

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	250mV @ 1mA, 10mA
トランジスタ型式:	NPN - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-23-3 (TO-236)
シリーズ:	-
抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）:	47k
抵抗 - ベース（R1）（オーム）:	4.7k
電力 - 最大:	246mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	12 Weeks
製造元の部品番号:	NSVMMUN2233LT3G
周波数 - トランジション:	-
拡張された説明:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
説明:	TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	80 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	100mA
Email:	[email protected]