NTD25P03L1 - ON Semiconductor - トランジスタ-fet、mosfet-シングル NTD25P03L1

NTD25P03L1

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	I-Pak
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	80 mOhm @ 25A, 5V
電力消費（最大）:	75W (Tj)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
他の名前:	NTD25P03L1OS
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	NTD25P03L1
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1260pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	20nC @ 5V
FETタイプ:	P-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	P-Channel 30V 25A (Ta) 75W (Tj) Through Hole I-Pak
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET P-CH 30V 25A IPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	25A (Ta)
Email:	[email protected]