購入 NTD2955-1GとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | I-Pak |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 180 mOhm @ 6A, 10V |
電力消費(最大): | 55W (Tj) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
他の名前: | NTD2955-1G-ND NTD2955-1GOS NTD29551G |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 21 Weeks |
製造元の部品番号: | NTD2955-1G |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 750pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 30nC @ 10V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 60V 12A (Ta) 55W (Tj) Through Hole I-Pak |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 60V |
説明: | MOSFET P-CH 60V 12A IPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 12A (Ta) |
Email: | [email protected] |