購入 NTD4909N-35GとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.2V @ 250µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | I-Pak |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 8 mOhm @ 30A, 10V |
電力消費(最大): | 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | NTD4909N-35G |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1314pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 17.5nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 30V 8.8A (Ta), 41A (Tc) 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) Through Hole I-Pak |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
説明: | MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 8.8A (Ta), 41A (Tc) |
Email: | [email protected] |