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NTD5865N-1G
NTD5865N-1G
部品型番:
NTD5865N-1G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17139 Pieces
データシート:
NTD5865N-1G.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:4V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:DPAK-3
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:18 mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大）:71W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:NTD5865N-1G-ND
NTD5865N-1GOS
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:NTD5865N-1G
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:1261pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:23nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 60V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK-3
ソース電圧（VDSS）にドレイン:60V
説明:MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:43A (Tc)
Email:[email protected]

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