NTD85N02RT4 - ON Semiconductor - トランジスタ-fet、mosfet-シングル NTD85N02RT4

NTD85N02RT4

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	DPAK
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	5.2 mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大）:	1.25W (Ta), 78.1W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:	NTD85N02RT4OS
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	NTD85N02RT4
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	2050pF @ 20V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	17.7nC @ 5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 24V 12A (Ta), 85A (Tc) 1.25W (Ta), 78.1W (Tc) Surface Mount DPAK
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	24V
説明:	MOSFET N-CH 24V 12A DPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	12A (Ta), 85A (Tc)
Email:	[email protected]