NTHD3102CT1G - ON Semiconductor - トランジスタ-fet、mosfet-アレイ NTHD3102CT1G

NTHD3102CT1G

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同上@ VGS（TH）（最大）:	1.2V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:	ChipFET™
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	45 mOhm @ 4.4A, 4.5V
電力 - 最大:	1.1W
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-SMD, Flat Lead
他の名前:	NTHD3102CT1G-ND NTHD3102CT1GOSTR
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	20 Weeks
製造元の部品番号:	NTHD3102CT1G
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	510pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	7.9nC @ 4.5V
FETタイプ:	N and P-Channel
FET特長:	Logic Level Gate
拡張された説明:	Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A, 3.1A 1.1W Surface Mount ChipFET™
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	20V
説明:	MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	4A, 3.1A
Email:	[email protected]