NTLJD3182FZTBG - ON Semiconductor - トランジスタ-fet、mosfet-シングル NTLJD3182FZTBG

NTLJD3182FZTBG

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同上@ VGS（TH）（最大）:	1V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	6-WDFN (2x2)
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	100 mOhm @ 2A, 4.5V
電力消費（最大）:	710mW (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	6-WDFN Exposed Pad
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	NTLJD3182FZTBG
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	450pF @ 10V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	7.8nC @ 4.5V
FETタイプ:	P-Channel
FET特長:	Schottky Diode (Isolated)
拡張された説明:	P-Channel 20V 2.2A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	20V
説明:	MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	2.2A (Ta)
Email:	[email protected]