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NTMFD4901NFT1G
NTMFD4901NFT1G
部品型番:
NTMFD4901NFT1G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
15120 Pieces
データシート:
NTMFD4901NFT1G.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:2.2V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:6.5 mOhm @ 10A, 10V
電力 - 最大:1.1W, 1.2W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
他の名前:NTMFD4901NFT1G-ND
NTMFD4901NFT1GOSTR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:4 Weeks
製造元の部品番号:NTMFD4901NFT1G
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:1150pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:9.7nC @ 4.5V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual), Schottky
FET特長:Logic Level Gate
拡張された説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 30V 10.3A, 17.9A 1.1W, 1.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:30V
説明:MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:10.3A, 17.9A
Email:[email protected]

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