購入 NVD5863NLT4G-VF01とBYCHPS
保証付きで購入する
同上@ VGS(TH)(最大): | 3V @ 250µA |
---|---|
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | DPAK |
シリーズ: | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 7.1 mOhm @ 41A, 10V |
電力消費(最大): | 3.1W (Ta), 96W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前: | NVD5805NT4G-VF01 NVD5863NLT4G NVD5863NLT4G-ND NVD5863NLT4G-VF01TR NVD5863NLT4GOSTR-ND |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 18 Weeks |
製造元の部品番号: | NVD5863NLT4G-VF01 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 3850pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 70nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 60V 14.9A (Ta), 82A (Tc) 3.1W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount DPAK |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 60V |
説明: | MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 14.9A (Ta), 82A (Tc) |
Email: | [email protected] |