NVMD4N03R2G
部品型番:
NVMD4N03R2G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
14230 Pieces
データシート:
NVMD4N03R2G.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):3V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:8-SOIC
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):60 mOhm @ 4A, 10V
電力 - 最大:2W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:6 Weeks
製造元の部品番号:NVMD4N03R2G
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:400pF @ 20V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:16nC @ 10V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:Logic Level Gate
拡張された説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 2W Surface Mount 8-SOIC
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):4A
Email:[email protected]

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