NVMFD5853NWFT1G
NVMFD5853NWFT1G
部品型番:
NVMFD5853NWFT1G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19814 Pieces
データシート:
NVMFD5853NWFT1G.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
サプライヤデバイスパッケージ:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
シリーズ:-
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):10 mOhm @ 15A, 10V
電力 - 最大:3.1W
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:8-PowerTDFN
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:13 Weeks
製造元の部品番号:NVMFD5853NWFT1G
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1225pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:24nC @ 10V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual)
FET特長:Logic Level Gate
拡張された説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 12A 3.1W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
ソース電圧(VDSS)にドレイン:40V
説明:MOSFET 2N-CH 40V 12A SO8FL
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):12A
Email:[email protected]

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