PBLS1502V,115 - NXP USA Inc. - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ、プリバイアス PBLS1502V,115

PBLS1502V,115

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	50V, 15V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	150mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 50mA, 500mA
トランジスタ型式:	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-666
シリーズ:	-
抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）:	4.7k
抵抗 - ベース（R1）（オーム）:	4.7k
電力 - 最大:	300mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SOT-563, SOT-666
他の名前:	568-7219-2 934058048115 PBLS1502V T/R PBLS1502V T/R-ND PBLS1502V,115-ND PBLS1502V115
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	PBLS1502V,115
周波数 - トランジション:	280MHz
拡張された説明:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 15V 100mA, 500mA 280MHz 300mW Surface Mount SOT-666
説明:	TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	1µA, 100nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	100mA, 500mA
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
PBLS1503V,115	NXP USA Inc.	TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666	オンラインお問い合わせ
PBLS1504V,115	NXP USA Inc.	TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666	オンラインお問い合わせ
RN2902(T5L,F,T)	Toshiba Semiconductor and Storage	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6	オンラインお問い合わせ
PBLS6003D,115	Nexperia USA Inc.	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP	オンラインお問い合わせ
NSBC123JDXV6T1	ON Semiconductor	TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563	オンラインお問い合わせ
MUN5332DW1T1	ON Semiconductor	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363	オンラインお問い合わせ
MUN5116DW1T1G	ON Semiconductor	TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363	オンラインお問い合わせ