購入 PBRN113ZS,126とBYCHPS
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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大): | 40V |
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IB、IC @ Vce飽和(最大): | 1.15V @ 8mA, 800mA |
トランジスタ型式: | NPN - Pre-Biased |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-92-3 |
シリーズ: | - |
抵抗 - エミッタベース(R2)(オーム): | 10k |
抵抗 - ベース(R1)(オーム): | 1k |
電力 - 最大: | 700mW |
パッケージング: | Tape & Box (TB) |
パッケージ/ケース: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
他の名前: | 934059136126 PBRN113ZS AMO PBRN113ZS AMO-ND |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | PBRN113ZS,126 |
周波数 - トランジション: | - |
拡張された説明: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 40V 800mA 700mW Through Hole TO-92-3 |
説明: | TRANS PREBIAS NPN 0.7W TO92-3 |
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン(hFEの)(最小): | 500 @ 300mA, 5V |
電流 - コレクタ遮断(最大): | 500nA |
電流 - コレクタ(Ic)(Max): | 800mA |
Email: | [email protected] |