PBSS4032SPN,115 - Nexperia USA Inc. - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ PBSS4032SPN,115

PBSS4032SPN,115

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	30V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	450mV @ 300mA, 6A / 510mV @ 250mA, 5A
トランジスタ型式:	NPN, PNP
サプライヤデバイスパッケージ:	8-SO
シリーズ:	-
電力 - 最大:	2.3W
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前:	1727-5103-2 568-6400-2 568-6400-2-ND 934063417115 PBSS4032SPN,115-ND
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	6 Weeks
製造元の部品番号:	PBSS4032SPN,115
周波数 - トランジション:	140MHz, 115MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 5.7A, 4.8A 140MHz, 115MHz 2.3W Surface Mount 8-SO
説明:	TRANS NPN/PNP 30V 5.7A/4.8A 8SO
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	250 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	5.7A, 4.8A
Email:	[email protected]