PBSS8110D,115 - Nexperia USA Inc. - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル PBSS8110D,115

PBSS8110D,115

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	100V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	200mV @ 100mA, 1A
トランジスタ型式:	NPN
サプライヤデバイスパッケージ:	6-TSOP
シリーズ:	-
電力 - 最大:	700mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SC-74, SOT-457
他の名前:	1727-5777-2 568-7325-2 568-7325-2-ND 934057979115 PBSS8110D T/R PBSS8110D T/R-ND PBSS8110D,115-ND PBSS8110D115
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	13 Weeks
製造元の部品番号:	PBSS8110D,115
周波数 - トランジション:	100MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 1A 100MHz 700mW Surface Mount 6-TSOP
説明:	TRANS NPN 100V 1A 6TSOP
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	150 @ 250mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	1A
Email:	[email protected]